[发明专利]采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法

摘要

本发明属于MEMS领域金属微电极制备技术领域，涉及一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法。采用多步腐蚀的方法制备压电喷墨打印头铜微电极的方法，利用MEMS技术中的光刻工艺制备铜电极掩蔽层，将裸露的铜电极表面腐蚀生成中间产物CuCl，利用能去除CuCl而不腐蚀铜的溶液腐蚀CuCl即得到侧蚀小的铜微电极结构。采用本发明的方法可以大大减少铜电极在FeCl3溶液中的停留时间，从而有效减小铜电极边壁的侧蚀量以及提高腐蚀均匀性。本方法制备的压电喷墨打印头铜微电极结构，其制作工艺简单、成本低、工艺重复性好。

主权项

1.一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n(1)用磁控溅射法在锆钛酸铅/Cr/Au基底上溅射铜微电极薄膜，制备压电喷墨打印头的铜薄膜电极片；/n(2)在步骤(1)中制备得到的铜薄膜电极片的上表面旋涂一层正性光刻胶BP212，通过MEMS技术中的光刻工艺曝光显影后，得到铜薄膜电极图形的掩蔽层，从而制备得到带有掩蔽层的铜薄膜电极片；/n(3)将步骤(2)中制备得到的带有掩蔽层的铜薄膜电极片置于FeCl₃溶液中对铜薄膜电极进行腐蚀，通过调整FeCl₃溶液的浓度确定腐蚀速率，控制腐蚀时间，在铜薄膜电极片表面生成中间产物CuCl；/n(4)将步骤(3)得到的表面生成CuCl的铜薄膜电极片置于HCl溶液或KCl溶液中腐蚀中间产物CuCl，然后进行去离子水喷淋清洗；/n(5)将步骤(4)中经过腐蚀和清洗后的铜薄膜电极片依次置于丙酮和乙醇溶液中处理，去除正性光刻胶BP212，得到完整的、侧蚀量小的压电喷墨打印头铜微电极结构。/n