[发明专利]采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法

权利要求书

1.一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)用磁控溅射法在锆钛酸铅/Cr/Au基底上溅射铜微电极薄膜，制备压电喷墨打印头的铜薄膜电极片；

(2)在步骤(1)中制备得到的铜薄膜电极片的上表面旋涂一层正性光刻胶BP212，通过MEMS技术中的光刻工艺曝光显影后，得到铜薄膜电极图形的掩蔽层，从而制备得到带有掩蔽层的铜薄膜电极片；

(3)将步骤(2)中制备得到的带有掩蔽层的铜薄膜电极片置于FeCl₃溶液中对铜薄膜电极进行腐蚀，通过调整FeCl₃溶液的浓度确定腐蚀速率，控制腐蚀时间，在铜薄膜电极片表面生成中间产物CuCl；将步骤(3)得到的表面生成CuCl的铜薄膜电极片置于KCl溶液中腐蚀中间产物CuCl，然后进行去离子水喷淋清洗；所述FeCl₃溶液的浓度为0.02-0.04g/ml，腐蚀时间为90-120s；KCl溶液的浓度为0.02-0.04g/ml，腐蚀时间为90-100s；

(4)将步骤(3)中经过腐蚀和清洗后的铜薄膜电极片依次置于丙酮和乙醇溶液中处理，去除正性光刻胶BP212，得到完整的、侧蚀量小的压电喷墨打印头铜微电极结构。

2.根据权利要求1所述的一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法，其特征在于，所述步骤(2)中，正性光刻胶BP212的旋涂速度为600rpm-2200rpm，热板前烘温度为80-90℃，时间为20-30min，曝光强度为3-4mW/cm²，曝光时间为90-100s，显影用质量分数为0.2%~0.5%的NaOH溶液显影30-40s，坚膜用热板80 -90℃烘20-30min。

3.根据权利要求1或2所述的一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，磁控溅射法制备的铜薄膜厚度为500-900nm。

4.根据权利要求1或2所述的一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法，其特征在于，所述步骤(4)中，在丙酮和乙醇溶液中的处理时间均为3-5min。

5.根据权利要求3所述的一种采用多步腐蚀减小压电喷墨打印头铜微电极侧蚀量的方法，其特征在于，所述步骤(4)中，在丙酮和乙醇溶液中的处理时间均为3-5min。