[发明专利]一种测量绝缘材料电离及电荷迁移参数的试样结构及方法有效
| 申请号： | 201910702593.9 | 申请日： | 2019-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN110398672B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 任双赞;吴经锋;吴昊;刘晶;郝东新;牛博;杨传凯;尚宇;吴锴;吴洋 | 申请（专利权）人： | 国网陕西省电力公司电力科学研究院;西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710054 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量绝缘材料电离及电荷迁移参数的试样结构及方法，试样结构，由第一阻挡材料、被测材料和第二阻挡材料组成，使用电导率远低于被测材料并且具有高注入阈值的阻挡材料，能够实现阻挡电极对试样进行电荷的注入和被测材料中的电荷向外迁移。测量方法采用了改进的电声脉冲(PEA)法空间电荷测量装置，将被测试样结构放入测量装置中，通过恒温循环油浴将试样结构加热到指定温度，利用PEA法测量温度、电场条件下被测材料试样中材料电离产生的空间电荷特性。本发明主要测量绝缘材料中电离产生的空间电荷特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 绝缘材料 电离 电荷 迁移 参数 试样 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于测量电离及电荷迁移参数的试样结构，其特征在于，包括：第一阻挡材料，位于被测试样的上方，与被测材料紧密接触；被测材料，即为被测量目标材料；第二阻挡材料，位于被测试样的下方，与被测材料紧密接触。
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