[发明专利]一种新型单电感互补谐振驱动电路及其工作方法

摘要

本发明涉及一种新型单电感互补谐振驱动电路及其工作方法，包括谐振电感Lr、第一控制MOSFET管S1、第二控制MOSFET管S2、第三控制MOSFET管S3、第四控制MOSFET管S4、第五控制MOSFET管S5、第六控制MOSFET管S6、第七控制MOSFET管S7、第八控制MOSFET管S8、第一供电电源UC1、第二供电电源UC2；用以驱动互补工作的第一功率MOSFET管Q1和第二功率MOSFET管Q2。本发明可以驱动一对共源极或不共源极的互补工作且非隔离的功率MOSFET管，驱动损耗低，时序控制灵活，利于集成，适用于低压变换器，具有较好的使用价值。

主权项

1.一种新型单电感互补谐振驱动电路，其特征在于，包括谐振电感L_r、第一控制MOSFET管S₁、第二控制MOSFET管S₂、第三控制MOSFET管S₃、第四控制MOSFET管S₄、第五控制MOSFET管S₅、第六控制MOSFET管S₆、第七控制MOSFET管S₇、第八控制MOSFET管S₈、第一供电电源U_C1、第二供电电源U_C2；用以驱动互补工作的第一功率MOSFET管Q₁和第二功率MOSFET管Q₂；所述第一功率MOSFET管Q₁的栅极接第一控制MOSFET管S₁的源极、第五控制MOSFET管S₅的源极以及第七控制MOSFET管S₇的漏极；第一功率MOSFET管Q₁的源极接第三控制MOSFET管S₃的源极、第七控制MOSFET管S₇的源极和第一电源U_C1的负极；第一控制MOSFET管S₁的漏极接第一电源U_C1的正极；第五控制MOSFET管S₅的漏极接谐振电感L_r的一端与第四控制MOSFET管S₄的漏极；第三控制MOSFET管S₃的漏极接谐振电感L_r的另一端与第六控制MOSFET管S₆的漏极；第二功率MOSFET管Q₂的栅极接第二控制MOSFET管S₂的源极、第六控制MOSFET管S₆的源极和第八控制MOSFET管S₈的漏极；第二功率MOSFET管Q₂的源极接第四控制MOSFET管S₄的源极、第八控制MOSFET管S₈的源极和第二电源U_C2的负极；第二控制MOSFET管S₂的漏极接第二电源U_C2的正极；第一至第八控制MOSFET管S₁～S₈的栅极和源极接各自的控制驱动信号。