[发明专利]一种新型单电感互补谐振驱动电路及其工作方法有效

专利信息
申请号: 201910694502.1 申请日: 2019-07-30
公开(公告)号: CN110350787B 公开(公告)日: 2020-08-21
发明(设计)人: 郭晓君 申请(专利权)人: 莆田学院
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M3/335
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 钱莉;蔡学俊
地址: 351100 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 电感 互补 谐振 驱动 电路 及其 工作 方法
【权利要求书】:

1.一种新型单电感互补谐振驱动电路,其特征在于,包括谐振电感Lr、第一控制MOSFET管S1、第二控制MOSFET管S2、第三控制MOSFET管S3、第四控制MOSFET管S4、第五控制MOSFET管S5、第六控制MOSFET管S6、第七控制MOSFET管S7、第八控制MOSFET管S8、第一供电电源UC1、第二供电电源UC2;用以驱动互补工作的第一功率MOSFET管Q1和第二功率MOSFET管Q2

所述第一功率MOSFET管Q1的栅极接第一控制MOSFET管S1的源极、第五控制MOSFET管S5的源极以及第七控制MOSFET管S7的漏极;第一功率MOSFET管Q1的源极接第三控制MOSFET管S3的源极、第七控制MOSFET管S7的源极和第一供电电源UC1的负极;第一控制MOSFET管S1的漏极接第一供电电源UC1的正极;第五控制MOSFET管S5的漏极接谐振电感Lr的一端与第四控制MOSFET管S4的漏极;第三控制MOSFET管S3的漏极接谐振电感Lr的另一端与第六控制MOSFET管S6的漏极;第二功率MOSFET管Q2的栅极接第二控制MOSFET管S2的源极、第六控制MOSFET管S6的源极和第八控制MOSFET管S8的漏极;第二功率MOSFET管Q2的源极接第四控制MOSFET管S4的源极、第八控制MOSFET管S8的源极和第二供电电源UC2的负极;第二控制MOSFET管S2的漏极接第二供电电源UC2的正极;

第一至第八控制MOSFET管S1~S8的栅极和源极接各自的控制驱动信号。

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