[发明专利]一种改变充电方式的高磁通隔磁片在审
申请号: | 201910688565.6 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110601384A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 刘孝军;朱仁胜;朱国栋;朱国辉 | 申请(专利权)人: | 徐州远洋磁性材料有限公司 |
主分类号: | H02J50/70 | 分类号: | H02J50/70 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种改变充电方式的高磁通隔磁片,包括高分子基层、磁片层和隔磁层;高分子基层、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设,磁片层包括上磁层和下磁层,所述上磁层下端设有多个上凹的第一凹槽,多个第一凹槽左右布置,下磁层上端设有多个下凹的第二凹槽,多个第二凹槽左右布置,并与多个第一凹槽对应设置,形成多个腔体,腔体内设有纳米层;隔磁层包括铜板层和石墨层,石墨层通过双面胶铺设在铜板层上端。本改变充电方式的高磁通隔磁片,结构合理简单,具有良好的高磁性能、良好的导热性能。 | ||
搜索关键词: | 磁片层 隔磁层 充电方式 左右布置 上端 高磁通 隔磁片 石墨层 铜板层 磁层 上磁 铺设 导热性能 高磁性能 纳米层 双面胶 腔体 上凹 下凹 下端 基层 体内 | ||
【主权项】:
1.一种改变充电方式的高磁通隔磁片,其特征在于,包括高分子基层(1)、磁片层和隔磁层;/n高分子基层(1)、磁片层和隔磁层从下往上依次铺设,磁片层包括上磁层(22)和下磁层(21),所述上磁层(22)下端设有多个上凹的第一凹槽,多个第一凹槽左右布置,下磁层(21)上端设有多个下凹的第二凹槽,多个第二凹槽左右布置,并与多个第一凹槽对应设置,形成多个腔体,腔体内设有纳米层(23);/n所述隔磁层包括铜板层(3)和石墨层(4),石墨层(4)通过双面胶铺设在铜板层3上端。/n
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