[发明专利]增材制造的可编程电阻跳线在审
| 申请号： | 201910687093.2 | 申请日： | 2019-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN110783262A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | P·M·埃莫森;B·S·库克 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/535;H01L23/62;H01L23/64;H01L27/02 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开增材制造的可编程电阻跳线。第一导电布线结构(220)电连接到第一电子部件(208)。第二导电布线结构(220)电连接到第二电子部件(210)。增材沉积工艺将材料(224)沉积在经处理的晶圆(200)的表面上方以形成导电或电阻结构，该导电或电阻结构从第一导电布线结构(220)的部分延伸到第二导电布线结构(220)的部分，以配置包括第一和第二电子部件(208、210)的电路。 | ||
| 搜索关键词： | 导电布线 电子部件 电阻结构 电连接 导电 沉积 可编程电阻 晶圆 跳线 电路 延伸 配置 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，所述方法包括：/n制造晶圆，所述晶圆包括暴露第一导电布线结构和第二导电布线结构的部分的第一表面，其中所述第一导电布线结构电连接到第一电子部件，并且所述第二导电布线结构电连接到第二电子部件；/n将材料从所述第一导电布线结构的暴露部分到所述第二导电布线结构的暴露部分沉积到所述晶圆的所述第一表面上，以配置包括所述第一电子部件和所述第二电子部件的电路系统；以及/n将所述晶圆单粒化成单独的管芯，所述管芯包括包含所述电路系统的管芯。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
