[发明专利]一种抗强磁场干扰的AMR传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910684534.3 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN110531286A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王志广;胡忠强;苏玮 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R33/00;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 安彦彦<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种抗强磁场干扰的AMR传感器及其制备方法，包括第一导电材料、第二导电材料和磁阻条；四个第一导电材料成四宫格状分布，若干磁阻条平行等间距设置，相邻的两个磁阻条之间的端部通过第二导电材料连接，使若干磁阻条形成S型串联结构；相邻的第一导电材料之间均设置有S型串联结构，形成惠斯通电桥，S型串联结构端部的磁阻条与第一导电材料连接；每个S型串联结构均与四宫格的中线成45度夹角；第一导电材料和第二导电材料均为导电金属。通过铁磁/反铁磁耦合的方式解决磁阻条在强磁场干扰后磁化状态不稳定的问题。相较传统的AMR传感器设计，铁磁/反铁磁耦合的方法可以有效提升铁磁材料磁化状态的稳定性，增加AMR传感器的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 导电材料 磁阻 串联结构 反铁磁耦合 磁化状态 铁磁 等间距设置 惠斯通电桥 强磁场干扰 导电金属 抗强磁场 铁磁材料 传统的 格状 制备 平行 应用 | ||
【主权项】：
1.一种抗强磁场干扰的AMR传感器，其特征在于，包括第一导电材料(1)、第二导电材料(2)和磁阻条(3)；四个第一导电材料(1)成四宫格状分布，若干磁阻条(3)平行等间距设置，相邻的两个磁阻条(3)之间的端部通过第二导电材料(2)连接，使若干磁阻条(3)形成S型串联结构；相邻的第一导电材料(1)之间均设置有S型串联结构，形成惠斯通电桥，S型串联结构端部的磁阻条(3)与第一导电材料(1)连接；每个S型串联结构均与四宫格的中线成45度夹角；第一导电材料(1)和第二导电材料(2)均为导电金属。/n
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