[发明专利]生产LED外延片的MOCVD系统维护保养后的恢复方法有效
| 申请号： | 201910680943.6 | 申请日： | 2019-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN112309815B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张义;马旺;王建立;王成新 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人： | 杨先凯 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种生产LED外延片的MOCVD系统维护保养后的恢复方法，通过循环冷却水的升温、高温烘干处理及反应室内气压周期性地高低压变化，可以将反应室中90％左右的水、氧等杂质烘干吹扫清除；再通过依次生长非掺杂GaN层、N型AlGaN层、MgSiAlInGaN层，可以将反应室中剩余的杂质吹扫清除干净；最后再生长一层非掺杂GaN层，可以将反应室内的生长环境进行初始化，减少Mg的记忆效应对后续正常生长外延片的影响；本申请维护保养后可以直接恢复满炉生长，直接满炉生长的芯片的电参数和生长设备维护前无差异，可以提前4炉将生长设备恢复到正常状态，大大降低了生产成本，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 led 外延 mocvd 系统维护 保养 恢复 方法 | ||
【主权项】：
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