[发明专利]具有ECC功能的MRAM系统及其操作方法有效
| 申请号： | 201910678832.1 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112289352B | 公开（公告）日： | 2023-10-03 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;夏文斌 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C29/42 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有ECC功能的MRAM系统，包括MRAM、ECC电路和寄存器组，寄存器组设置在MRAM和ECC电路之间，并与MRAM和ECC电路电连接，寄存器组，用于从MRAM读出数据，并将读出数据存入寄存器组中；ECC电路，用于与寄存器组同时从MRAM读出数据；在MRAM写回数据时，用于将写回数据与存入寄存器组中的数据进行比较，对数据错误进行检查和矫正。本发明能够在进行写操作的同时检测被写入比特的状态、MRAM可靠性高、降低写功耗并且对芯片速度、设计复杂性没有影响。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ecc 功能 mram 系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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