[发明专利]一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法有效
| 申请号： | 201910677224.9 | 申请日： | 2019-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN112289669B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 耿振华;刘身健;刘志强;张洁 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在无晶圆的真空反应腔内镀膜的方法及晶圆处理方法，该镀膜方法包含以下步骤：步骤1：向无晶圆的真空反应腔内输送沉积气体并点燃等离子体，在暴露于等离子体的真空反应腔内壁及内部部件表面沉积一定厚度的保护膜；步骤2：向无晶圆的真空反应腔内输送刻蚀气体并点燃等离子体，等离子体对步骤1沉积的保护膜进行修饰处理；步骤3：重复步骤1‑步骤2若干次以得到高致密度的保护膜。本发明通过重复沉积‑刻蚀的方式在真空反应腔内表面所形成致密的保护膜，从而减小晶圆表面颗粒的尺寸和数量，工艺简单，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无晶圆 真空 反应 镀膜 方法 处理 | ||
【主权项】：
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