[发明专利]一种表面修饰碳硼烷的介孔二氧化硅纳米球及其制备方法有效
| 申请号： | 201910669656.5 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN110302381B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 于海洲;王勇;杨静莹 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | A61K41/00 | 分类号： | A61K41/00;A61K47/52;A61P35/00;B82Y5/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 吴频梅 |
| 地址： | 211816 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种表面修饰碳硼烷的介孔二氧化硅纳米球及其制备方法，属于纳米材料技术领域，本发明首次将碳硼烷通过共价键的方式连接在介孔二氧化硅表面且制备方法操作简单，对设备要求低。同时，所制备的纳米颗粒结构稳定、亲疏水性可控、含硼量高，修饰后的材料对生物体无毒性作用，可应用于载药系统，亦具有作为一种含硼试剂用于硼中子俘获治疗癌症的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 修饰 碳硼烷 二氧化硅 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面修饰碳硼烷的介孔二氧化硅纳米球的制备方法，其特征在于，所制备材料是由单取代烷氧基硅丙基碳硼烷和介孔二氧化硅纳米球通过共价键的方式连接。
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