[发明专利]可变电阻存储器装置在审
| 申请号： | 201910659609.2 | 申请日： | 2019-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN111048661A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 宣昌佑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种可变电阻存储器装置。所述可变电阻存储器装置可以包括多个堆叠结构。每个堆叠结构可以形成在基底上，并且可以包括顺序堆叠的下电极、可变电阻图案和选择图案。阈值电压控制图案可以形成在堆叠结构上，可以在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且可以被构造为增大或减小每个选择图案的阈值电压。上电极可以形成在阈值电压控制图案上，并且可以在第二方向上延伸。第一导线可以接触堆叠结构的下电极的相应下表面，并且可以在垂直于第二方向的第一方向上延伸。第二导线可以接触上电极的上表面，并且可以在第二方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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