[发明专利]晶振模块高鲁棒性主动降噪方法有效
申请号: | 201910644342.X | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN110376446B | 公开(公告)日: | 2021-06-08 |
发明(设计)人: | 冷国俊;刘兰;吴穹;赖天华 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | G01R29/26 | 分类号: | G01R29/26 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 夏琴 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明涉及电子技术领域,特别是晶振模块高鲁棒性主动降噪方法。包括:测量静止环境下晶振相位噪声;测试三轴振动方向下晶振的相位噪声,并计算得加速度敏感性矢量;利用压控模块对晶振模块的电性能补偿;计算得到初始相位噪声补偿电压值;利用外部的扰动参数:振动相关扰动d |
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搜索关键词: | 模块 高鲁棒性 主动 方法 | ||
【主权项】:
1.晶振模块高鲁棒性主动降噪方法,其特征在于,包括:步骤S1,测量静止环境下晶振相位噪声为L0;步骤S2,测试三轴振动方向下晶振的相位噪声,计算得到相位噪声Lx、Ly、Lz,通过计算公式反推得出加速度敏感度计算方法:Γx=f(Lx),Γy=f(Ly),Γz=f(Lz),得加速度敏感性矢量
步骤S3,利用压控模块对晶振模块的电性能补偿;步骤S4,根据
计算得到初始相位噪声补偿电压值,其中
是加速度矢量;步骤S5,利用外部的扰动参数:振动相关扰动dV、温度扰动dT,内部的扰动参数:传感器安装位置ps、晶片安装位置pc、晶片老化de,调整补偿参数,得到修正后的相位噪声补充补偿电压值。
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