[发明专利]晶振模块高鲁棒性主动降噪方法有效

专利信息
申请号: 201910644342.X 申请日: 2019-07-17
公开(公告)号: CN110376446B 公开(公告)日: 2021-06-08
发明(设计)人: 冷国俊;刘兰;吴穹;赖天华 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: G01R29/26 分类号: G01R29/26
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 夏琴
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 模块 高鲁棒性 主动 方法
【权利要求书】:

1.晶振模块高鲁棒性主动降噪方法,其特征在于,包括:

步骤S1,测量静止环境下晶振相位噪声为L0

步骤S2,测试三轴振动方向下晶振的相位噪声,计算得到相位噪声Lx、Ly、Lz,通过计算公式反推得出加速度敏感度计算方法:Γx=f(Lx),Γy=f(Ly),Γz=f(Lz),得加速度敏感性矢量

步骤S3,利用压控模块对晶振模块的电性能补偿;

步骤S4,根据计算得到初始相位噪声补偿电压值,其中是加速度矢量;

步骤S5,利用外部的扰动参数:振动相关扰动dV、温度扰动dr,内部的扰动参数:传感器安装位置ps、晶片安装位置pc、晶片老化de,调整补偿参数,得到修正后的相位噪声补充补偿电压值;

修正方法包括以下过程:

步骤S61,设

通过构建多项式的方式得到响应电压变化值:

其中,γ,均为拟合参数;

步骤S62,依据不同量级的不确定性来模拟外部和内部的扰动参数,同时测得各种扰动参数值下的相位噪声值,并反推频率变化值Δf,假设压控灵敏度为k,通过ΔV=Δf/k计算响应电压变化值;并以数组形式存储以上响应电压变化值数据;

步骤S63,重复步骤S62,得到一定规模的响应电压变化值数据,对多项式进行拟合得拟合参数值;

步骤S64,根据晶振设计者以及系统应用方案给出的不确定性参数的最大最小值,可计算某使用工况下的ΔV值;

步骤S65,根据V'=V0+ΔV计算实际相位噪声补充补偿值。

2.如权利要求1所述的晶振模块高鲁棒性主动降噪方法,其特征在于,所述步骤S2中,振动环境的设置方式为:用夹装工具在晶振模型的X、Y、Z轴分别加装加速传感器,然后将晶振模型安装在振动台上。

3.如权利要求2所述的晶振模块高鲁棒性主动降噪方法,其特征在于,所述步骤S2中还包括以下过程:在振动台上加装加速传感器,在传感器设计范围内输入不同频率不同方向的振动,对比晶振模块加装的加速传感器和振动台的加速度传感器数据,对晶振模块上的加速传感器进行同轴度进行校正。

4.如权利要求1所述的晶振模块高鲁棒性主动降噪方法,其特征在于,所述晶振模块高鲁棒性主动降噪方法,还包括相位噪声恶化情况计算:

测得振动环境下相位噪声Lt,计算包括相位噪声恶化数值以及频率变化值在内的电性能指标;

相位噪声恶化值计算:ΔL=Lt-L0,其中Lt是当前的相位噪声;

频率变化值计算公式如下:其中fv表示振动频率、f0表示载波频率。

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