[发明专利]一种RF-MEMS开关复合牺牲层制备方法在审
| 申请号： | 201910643502.9 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110329988A | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 徐亚新;梁广华;赵飞;庄治学;魏浩;陈雨;龚孟磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄市中山西路5*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RF‑MEMS开关复合牺牲层制备方法，属于RF‑MEMS器件制造技术领域。该方法包括平坦化填充、金属牺牲层溅射刻蚀、光刻胶牺牲层制备等步骤。采用本发明方法，可以提高MEMS开关梁的平整性，实现10nm~500nm低触点间距开关梁的制备，从而提高MEMS开关的可靠性，降低MEMS开关驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 牺牲层 光刻胶牺牲层 金属牺牲层 溅射刻蚀 开关复合 驱动电压 开关梁 平坦化 平整性 触点 填充 复合 制造 | ||
【主权项】：
1.一种RF‑MEMS开关复合牺牲层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在需要做牺牲层的MEMS基板表面溅射金属层，并对金属层进行图形化，从而实现对MEMS基板的平坦化填充；（2）对步骤（1）平坦化填充后的MEMS基板再次采用溅射的方式沉积金属层，从而制备第一牺牲层，第一牺牲层的高度用于定义开关梁触点的间隙距离；（3）将步骤（2）溅射后的MEMS基板取出，进行光刻刻蚀去胶，去除金属梁锚区的金属层；（4）将步骤（3）刻蚀去胶后的MEMS基板进行薄胶光刻，完成第二牺牲层的制备，并在此过程中光刻出开关梁的触点结构；第一牺牲层和第二牺牲层共同构成金属与光刻胶相结合的异质复合牺牲层；（5）将步骤（4）得到的MEMS基板进行热处理固化，完成低厚度高平整度复合牺牲层的制备。
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