[发明专利]一种MOS控制晶闸管有效
| 申请号： | 201910629038.8 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110379853B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张波;周琪钧;陈万军;刘超;肖紫嫣;谯彬 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/06;H01L21/332 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，涉及一种MOS控制晶闸管。本发明引入P型半导体区2后产生的结构既保留了由P型基区3、N型源区1和P型源区10形成的MOS结构，同时引入了贯穿P型基区3和P型源区10的阴极短路结构；P型半导体区2的引入使得器件具备了常关特性而不会影响其电流能力。本发明的有益效果为，提出了应用于高压高功率领域驱动简单，导通电流快速均匀分布的常关型MOS控制晶闸管及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 控制 晶闸管 | ||
【主权项】：
1.一种MOS控制晶闸管，包括自底向上依次层叠设置的阳极(6)、P型阳极区(5)、N型漂移区(4)；在N型漂移区(4)上层具有P型基区(3)，P型基区(3)上层具有N型源区(1)；在器件上表面一端具有栅氧化层(9)，栅氧化层(9)的下表面与N型漂移区(4)、P型基区(3)和N型源区(1)接触，栅氧化层(9)上表面具有栅电极(8)；在与器件上表面另一端具有阴极(7)，阴极(7)下表面与N型源区(1)接触；在栅电极(8)与阴极(7)之间的N型源区(1)上层还具有P型源区(10)，且P型源区(10)的上表面分别与栅氧化层(9)和阴极(7)接触；其特征在于，沿器件纵向方向，在P型源区(10)位于栅氧化层(9)下表面的部分中，具有多个呈间断分布的贯穿P型源区(10)并与P型基区(3)接触的P型半导体区(2)，所述器件纵向方向为同时垂直于器件水平方向和垂直方向的第三维方向。
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