[发明专利]转移结构体的方法在审
| 申请号： | 201910623851.4 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110718498A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 拉米·贝纳萨 | 申请（专利权）人： | 原子能和替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王子晔;陈万青 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及将结构体(200)转移到主基板(400)上的方法，所述方法依次包括以下步骤：a)提供包括两个主要面的临时基板(100)，所述临时基板(100)是可延伸的，所述结构体(200)经它们的正面(210)结合在第一面上；b)沿至少一个方向延伸临时基板(100)，以增大结构体(200)之间沿至少一个方向上的间隔；c)将多个结构体(200)转移到主基板(400)的主面(410)上的步骤，临时基板(100)包括由可延伸材料制成的基质(101)和结构体(200)结合于其上的多个嵌件(102)，所述嵌件包含的材料的杨氏模量高于可延伸材料的杨氏模量。 | ||
| 搜索关键词： | 结构体 临时基板 可延伸材料 杨氏模量 主基板 嵌件 方向延伸 可延伸 基质 主面 | ||
【主权项】：
1.将结构体(200)转移到主基板(400)上的方法，所述方法依次包括以下步骤：/na)提供临时基板(100)、多个结构体(200)的步骤，所述临时基板包括分别称为第一面和第二面(120)的两个主要面，所述临时基板(100)是可延伸的，所述多个结构体(200)各自包括正面(210)和背面(220)，所述多个结构体经它们的正面(210)结合在所述第一面(110)上；/nb)沿至少一个方向延伸所述临时基板(100)，以在沿至少一个方向上增大结构体(200)之间的间隔的步骤；/nc)将所述多个结构体(200)转移到主基板(400)的主面(410)上的步骤，/n所述方法的特征在于，所述临时基板(100)包括基质(101)和多个嵌件(102)，所述基质由可延伸材料制成，所述结构(200)结合在所述嵌件上，且所述嵌件包含的材料的杨氏模量高于可延伸材料的杨氏模量。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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