[发明专利]基于纳米转印技术在倾斜光纤端面上实现纳米盘阵列大面积制备的方法

摘要

本发明公开了一种基于纳米转印技术在倾斜光纤端面上实现纳米盘阵列大面积制备的方法，以超博多孔氧化铝（AAO）薄膜作为纳米压印模具，通过电子束蒸镀在硅片上制备有序排列的纳米盘阵列结构，最后通过纳米转印技术转印至斜面光纤端面上，自制的AAO膜纳米孔间距能够达到65nm空间分辨率，并能够实现纳米结构的大面积制备。本发明制作简单，成本低廉，不仅能够做到相对较高的空间分辨率，也能同时完成对纳米盘、纳米孔结构的大面积制备，应用前景十分广泛。

主权项

1.基于纳米转印技术在倾斜光纤端面上实现纳米盘阵列大面积制备的方法，其特征在于具体过程为：步骤S1：采用两步阳极氧化处理方法在铝薄片上制备超博有序的氧化铝模板，并将氧化铝模板转移至硅衬底上；步骤S2：通过磁控溅射在氧化铝模板上溅射金膜，形成的金纳米颗粒阵列的尺寸与氧化铝模板的孔径大小一致，金纳米颗粒阵列周期与氧化铝模板纳米孔阵列周期一致；步骤S3：使用双面胶带将氧化铝模板剥离，在硅衬底上形成与氧化铝模板纳米孔孔径及阵列周期一致的金纳米盘阵列；步骤S4：将多模光纤用光纤钳去除包层与涂覆层，利用透镜光纤研磨机将光纤端面研磨成倾斜角为60°的斜面，再在无水乙醇中清洗干净；步骤S5：在光纤端面旋涂紫外固化胶，利用透镜光纤研磨机调整光纤端面与硅板平行并接触，使用紫外灯照射2‑5分钟，固化结束后提拉光纤使光纤斜面与硅衬底分离，金纳米盘阵列转移至光纤端面上，最后将光纤真空干燥即完成在倾斜光纤端面上实现金纳米盘阵列的大面制备。