[发明专利]光学集成电路系统、装置和制造方法有效
| 申请号： | 201910607514.6 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110691458B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | L·马吉;P·奥兰迪 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02;G02B6/12;G02B6/122 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及光学集成电路系统、装置和制造方法。一种光学集成电路装置包括：电绝缘基板；光学连接件，被设置在光学集成电路的边界处；以及第一静电放电(ESD)保护结构，与第一波导直接接触并且被电耦合到第一波导。光学连接件包括第一波导。第一波导被设置在电绝缘基板上并且被配置成传输光学信号。第一ESD保护结构是非电绝缘的，并且对光学信号基本光学透明。包括阳极和阴极的ESD二极管被电耦合到第一ESD保护结构。接地连接件被电耦合到ESD二极管的阳极。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 集成电路 系统 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光学集成电路装置，包括：/n电绝缘基板；/n光学连接件，被设置在所述光学集成电路的边界处，所述光学连接件包括第一波导，其中所述第一波导被设置在所述电绝缘基板上并且被配置成传输光学信号；/n第一静电放电(ESD)保护结构，与所述第一波导直接接触并且被电耦合到所述第一波导，所述第一ESD保护结构是非电绝缘的，并且对所述光学信号基本光学透明；/nESD二极管，包括阳极和阴极，所述阴极被电耦合到所述第一ESD保护结构；以及/n接地连接件，被电耦合到所述ESD二极管的所述阳极。/n
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