[发明专利]光学集成电路系统、装置和制造方法

权利要求书

1.一种光学集成电路装置，包括：

电绝缘基板；

光学连接件，被设置在所述光学集成电路的边界处，所述光学连接件包括第一波导，其中所述第一波导被设置在所述电绝缘基板上并且被配置成传输光学信号；

第一静电放电保护结构，与所述第一波导直接接触并且被电耦合到所述第一波导，所述第一静电放电保护结构是非电绝缘的，并且对所述光学信号基本光学透明；

静电放电二极管，包括阳极和阴极，所述阴极被电耦合到所述第一静电放电保护结构；以及

接地连接件，被电耦合到所述静电放电二极管的所述阳极。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一波导是硅波导。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述光学连接件包括第二波导，所述第二波导被光学地且绝热地耦合到所述第一波导的一部分。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一静电放电保护结构被设置为围绕所述光学集成电路装置的周边，并且其中所述第一静电放电保护结构形成闭环。

5.根据权利要求1所述的装置，还包括：

一个或多个后段层，覆盖所述电绝缘基板；以及

腔，在所述一个或多个后段层中，其中所述第一波导的一部分被设置在所述腔中。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括第二静电放电保护结构，所述第二静电放电保护结构被设置为围绕所述光学集成电路装置的周边，其中：

所述第二静电放电保护结构导电并且对所述光学信号基本光学不透明；

所述第二静电放电保护结构包括开口，所述第一波导穿过所述开口；并且

所述第二静电放电保护结构形成闭环。

7.根据权利要求1所述的装置，其中：

所述第一静电放电保护结构的一部分的宽度小于200nm；

所述宽度是沿着与所述光学信号的传播方向平行的方向测量的；以及

所述第一静电放电保护结构的所述一部分直接接触所述第一波导。

8.一种制造光学集成电路装置的方法，所述方法包括：

提供电绝缘基板；

在所述电绝缘基板之上形成第一波导，其中所述第一波导被配置成传输光学信号；

在所述电绝缘基板之上形成第一静电放电保护结构，所述第一静电放电保护结构与所述第一波导直接接触并且被电耦合到所述第一波导，其中所述第一静电放电保护结构是非电绝缘的，并且对所述光学信号基本光学透明；

在所述电绝缘基板处形成静电放电二极管，其中所述静电放电二极管的阴极被电耦合到所述第一静电放电保护结构；以及

在所述电绝缘基板处形成接地连接件，所述接地连接件被电耦合到所述静电放电二极管的阳极。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一波导是硅波导。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

形成第二波导，所述第二波导被光学地且绝热地耦合到所述第一波导的一部分。

11.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述第一静电放电保护结构包括：将所述第一静电放电保护结构形成为围绕所述光学集成电路装置的周边的闭环。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述电绝缘基板之上形成一个或多个后段层；以及

在所述后段层中形成腔，其中所述第一波导的一部分被设置在所述腔中。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括：

将第二静电放电保护结构形成为围绕所述光学集成电路装置的周边的闭环，所述第二静电放电保护结构包括开口，所述第一波导穿过所述开口，其中所述第二静电放电保护结构导电并且对所述光学信号基本光学不透明。