[发明专利]一种三维磁性器件及磁存储器有效
| 申请号： | 201910600144.3 | 申请日： | 2019-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN110349609B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 闵泰;郝润姿;王蕾;周雪 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 姚咏华 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自旋霍尔效应的三维磁性器件，三维磁性器件包括内电极、磁性结和外电极，内电极、磁性结和外电极是柱状结构；磁性结包括磁性自由层、磁性参考层，和在磁性自由层和磁性参考层之间的非磁性间隔层；磁性自由层与内电极接触，磁性参考层与外电极接触。三维磁性器件可以在垂直于内电极的底面的方向上堆叠；内电极由重金属/类金属或其合金/化合物制成；可以由自旋‑轨道矩和自旋转移矩共同作用实现三维磁性器件的磁化翻转。该结构不仅能够减少发热，提高其可靠性和稳定性，而且能够在保证热稳定性的情况下，成倍提高存储密度，实现器件小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 磁性 器件 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种三维磁性器件，其特征在于，三维磁性器件包括内电极、磁性结和外电极；所述内电极外侧包裹磁性结，所述磁性结外侧包裹外电极；所述磁性结在垂直于所述内电极的底面的方向上堆叠；所述内电极、磁性结和外电极是柱状结构；所述三维磁性器件的擦写机制基于自旋霍尔效应；所述磁性结包括磁性自由层、磁性参考层和在所述磁性自由层和所述磁性参考层之间的非磁性间隔层，所述磁性自由层用于数据存储，所述磁性自由层与所述内电极接触，所述磁性参考层与所述外电极接触。
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