[发明专利]多路径放大器电路或系统和其实施方法在审
| 申请号： | 201910597243.0 | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN110677131A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 杰弗里·凯文·琼斯;达蒙·G·霍尔默斯;杰弗里·史潘塞·罗伯茨;达雷尔·格伦·希尔 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/21;H03F3/213;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在本文中公开例如多路径功率放大器等功率放大器、使用此类放大器的系统和实施放大器和放大器系统的方法。在一个示例实施例中，一种多路径功率放大器包括第一半导体管芯，其具有第一源极到漏极间距的集成式第一晶体管，和第二半导体管芯，其具有第二源极到漏极间距的集成式第二晶体管，其中所述第二源极到漏极间距比所述第一源极到漏极间距小至少30％。在另一示例实施例中，一种多尔蒂(Doherty)放大器系统包括第一半导体管芯，其具有第一物理管芯面积与总栅极外围比，和第二半导体管芯，其具有第二物理管芯面积与总栅极外围比，其中所述第二物理管芯面积与总栅极外围比相比于所述第一物理管芯面积与总栅极外围比小至少30％。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体管芯 管芯 漏极 源极 功率放大器 外围 放大器 放大器系统 多路径 集成式 晶体管 间距比 | ||
【主权项】：
1.一种多路径功率放大器，其特征在于，包括：/n第一半导体管芯，其带有具有第一源极到漏极间距的集成式第一晶体管；以及/n第二半导体管芯，其带有具有第二源极到漏极间距的集成式第二晶体管，/n其中所述第二源极到漏极间距比所述第一源极到漏极间距小至少30％。/n
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