[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910586974.5 | 申请日： | 2019-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN110777339A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 菅原洋纪;青沼大介 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 刘杨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够生产率良好且简便地进行预溅射的成膜装置以及电子设备的制造方法。成膜装置(1)具备：将成膜对象物(6)及圆筒形的靶(2)配置于内部的腔室(10)；设置于靶(2)的内部，生成从靶(2)的外周面泄漏的泄漏磁场的磁场产生部件(3)；以及驱动靶(2)旋转的靶驱动部件(11)。磁场产生部件(3)是产生从靶(2)的外表面的与靶(2)的成膜对象物相向的第一区域(A1)泄漏的第一泄漏磁场(M1)、和从靶(2)的外表面的不与靶(2)的成膜对象物(6)相向的第二区域(A2)泄漏的第二泄漏磁场(M2)的部件。第二泄漏磁场(M2)的强度比第一泄漏磁场(M1)的强度低。 | ||
| 搜索关键词： | 泄漏磁场 成膜对象物 泄漏 磁场产生部件 成膜装置 相向 第二区域 第一区域 电子设备 驱动部件 强度比 外周面 预溅射 圆筒形 腔室 驱动 配置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，具备：/n腔室，将成膜对象物及圆筒形的靶配置于内部；/n磁场产生部件，设置在上述靶的内部，生成从上述靶的外周面泄漏的泄漏磁场；以及/n靶驱动部件，驱动上述靶旋转，/n该成膜装置在与上述靶相向配置的上述成膜对象物上进行成膜，/n其特征在于，/n上述磁场产生部件是产生从上述靶的外表面的上述靶与上述成膜对象物相向的第一区域泄漏的第一泄漏磁场、和从上述靶的外表面的上述靶不与上述成膜对象物相向的第二区域泄漏的第二泄漏磁场的部件，/n上述第二泄漏磁场的强度比上述第一泄漏磁场的强度低。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能特机株式会社，未经佳能特机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910586974.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成膜装置及电子器件的制造方法
- 下一篇：成膜装置和成膜方法
- 同类专利
- 专利分类
