[发明专利]一种优化磁性随机存储器写性能的结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201910586552.8 | 申请日： | 2019-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN112186097B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H10B61/00 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种优化磁性随机存储器写性能的结构，包括写加速器，写加速器位于磁性随机存储器的底电极的下侧、底电极通孔的上侧，且写加速器与底电极和底电极通孔直接相连接。本发明还公开一种优化磁性随机存储器写性能的结构的制备方法，包括：步骤一：提供表面抛光的带金属连线Mx的CMOS基底；步骤二：经过平坦化处理之后的CMOS基底上，制作底电极通孔并将底电极通孔磨平；步骤三：底电极通孔上，图形化定义并刻蚀制作写加速器金属，填充写加速器电介质，并采用化学机械平坦化对其进行磨平；步骤四：写加速器之上，依次沉积底电极、磁性隧道结多层膜、顶电极，并制作磁性隧道结存储单元，最后在顶电极之上制作位线连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 磁性 随机 存储器 性能 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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