[发明专利]基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法有效
| 申请号： | 201910573669.2 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110303385B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 田野;宋辞;周港;石峰;彭小强 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B55/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，实施步骤包括：将单晶硅工件完全淹没放置在容器中的抛光液中并进行CCOS抛光加工，且在加工过程中检测并控制抛光液pH值；将单晶硅工件清洗去除大尺寸颗粒残留；采用离子束刻蚀工艺去除单晶硅工件表面的微小颗粒残留。本发明能够避免现有的单晶硅加工方法中引入大粒径污染、造成工件表面产生划痕的问题，加工出的工件表面污染低于检出限，具有可操作性强、原料来源广泛、工艺流程简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 抛光 环境 调控 单晶硅 无损 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于实施步骤包括：1）将单晶硅工件完全淹没放置在容器中的抛光液中并进行CCOS抛光加工，且在加工过程中检测并控制抛光液pH值；2）将单晶硅工件清洗去除大尺寸颗粒残留；3）采用离子束刻蚀工艺去除单晶硅工件表面的微小颗粒残留。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军国防科技大学，未经中国人民解放军国防科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910573669.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种基于加工中心的磨削方法
- 下一篇：一种涡轮叶片灌箱找正装置及工作方法
