[发明专利]基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法

权利要求书

1.一种基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于实施步骤包括：

1）将单晶硅工件完全淹没放置在容器中的抛光液中并进行CCOS抛光加工，且在加工过程中检测并控制抛光液pH值；在抛光完成后使用无磨料清水抛光过程将表面氧化层均匀的去除；

2）将单晶硅工件清洗去除大尺寸颗粒残留；

3）采用离子束刻蚀工艺去除单晶硅工件表面的微小颗粒残留。

2.根据权利要求1所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤1）中的抛光液为纳米二氧化硅胶体抛光液。

3.根据权利要求2所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，所述纳米二氧化硅胶体抛光液中纳米二氧化硅的粒径为50nm。

4.根据权利要求1所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤1）中控制抛光液pH值具体是指滴入弱碱性碳酸氢钠pH调节剂调节抛光液pH值。

5.根据权利要求1所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤1）中在加工过程中检测并控制抛光液pH值时，pH值被控制在大于10.5且小于11.5的范围内。

6.根据权利要求1所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤1）中进行CCOS抛光加工具体是指使用阻尼布抛光盘进行抛光。

7.根据权利要求1所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤1）之前还包括控制加工环境温度为25.1℃的步骤。

8.根据权利要求7所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤1）中进行CCOS抛光加工时还包括控制抛光盘温度稳定在25.2℃的步骤。

9.根据权利要求1所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤2）中清洗去除大尺寸颗粒残留具体是指采用清水清洗去除大尺寸颗粒残留。

10.根据权利要求1所述的基于液相抛光环境调控的单晶硅无损抛光方法，其特征在于，步骤3）中采用离子束刻蚀工艺去除单晶硅工件表面的微小颗粒残留时，离子刻蚀工艺中离子能量为600eV。