[发明专利]一种倒金字塔型硅通孔垂直互联结构及制备方法有效
| 申请号： | 201910564487.9 | 申请日： | 2019-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN110379766B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第三十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48 |
| 代理公司： | 合肥昊晟德专利代理事务所(普通合伙) 34153 | 代理人： | 王林 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种倒金字塔型垂直互联结构及制备方法，包括基板和倒金字塔型通孔，所述基板采用单晶硅晶圆，所述倒金字塔型通孔贯穿于所述基板的上下表面；所述基板上下表面还设置有金属布线，所述基板上表面的金属布线通过所述倒金字塔通孔的侧壁与所述基板下表面的金属布线实现电连通；本发明倒金字塔型硅通孔垂直互联结构易于实现、工艺成本低、适用于大厚度硅基板，且能应用于直流电学信号以及低频段射频信号在硅基板内的垂直过渡传输。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金字塔 型硅通孔 垂直 联结 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒金字塔型垂直互联结构，其特征在于，包括基板和倒金字塔型通孔，所述基板采用单晶硅晶圆，所述倒金字塔型通孔贯穿于所述基板的上下表面；所述基板上下表面还设置有金属布线，所述基板上表面的金属布线通过所述倒金字塔通孔的侧壁与所述基板下表面的金属布线实现电连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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