[发明专利]非易失存储器读出电路及读出方法

摘要

本发明提供一种非易失存储器读出电路及读出方法，包括：纳秒级充电脉冲产生模块，产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，产生后充电电压；读位线充电模块，给读位线充电；第一参考读电压生成电路，给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压；灵敏放大器，将参考读电流与读出电流相比较，产生读出电压信号。本发明提高了读位线电压上升的速度，降低了读出电流的峰值，降低了动态功耗，降低了读出电流及参考读电流到达稳定值所需的时间；且在参考读电流中引入寄生参数的匹配，在读电流中引入对电流镜寄生参数的匹配，并对读位线和读参考位线进行后充电操作，最大程度的消除了伪读取现象，减小了读出时间。

主权项

1.一种非易失存储器读出电路，其特征在于，所述非易失存储器读出电路至少包括：纳秒级充电脉冲产生模块，接收读使能信号，并在所述读使能信号来临后产生后充电脉冲信号；充电电压产生模块，用于产生一预设的后充电电压；读位线充电模块，连接所述纳秒级充电脉冲产生模块、所述充电电压产生模块及存储阵列中的读位线，基于所述后充电脉冲信号在读取操作开始后给所述读位线充电；第一参考读电压生成电路，连接所述纳秒级充电脉冲产生模块及所述充电电压产生模块，基于所述后充电脉冲信号在读取操作开始后给参考读位线充电，并产生参考读电流和第一参考读电压，其中，所述参考读电流与读出电流的瞬态曲线在前期后充电过程中保持一致；灵敏放大器，连接所述第一参考读电压生成电路及所述存储阵列，用于将所述第一参考读电压还原为所述参考读电流，将所述参考读电流与所述存储阵列中被选中的存储单元的读出电流相比较，产生所述被选中的存储单元的读出信号。