[发明专利]磁控等离子体动态分布规律研究方法有效

专利信息
申请号: 201910559069.0 申请日: 2019-06-26
公开(公告)号: CN110176173B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 毛保全;白向华;赵其进;杨雨迎;王之千;朱锐;李华;陈春林;张天意 申请(专利权)人: 中国人民解放军陆军装甲兵学院
主分类号: G09B23/18 分类号: G09B23/18;H05H1/10
代理公司: 北京八月瓜知识产权代理有限公司 11543 代理人: 马东瑞
地址: 100072 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了磁控等离子体动态分布规律研究方法,属于等离子研究领域,包括以下步骤:S1:选择研究方法,S2:构建磁约束等离子体射流热磁耦合模型,S3:模拟流动控制数值,S4:对比,验证模型有效性,在S1中,等离子体的研究方法分为三种:粒子轨道法、统计描述法和磁流体动力学法,选用磁流体动力学法对进行研究,在S2中,等离子体具有良好的导电性和与磁场的可作用性。该磁控等离子体动态分布规律研究方法更加科学合理,研究了同轴磁场和圆筒壁面条件对等离子体流动及传热特性的影响,并采用红外热成像技术试验测试了施加同轴磁场后的圆筒外壁面温度,验证了模型的有效性,从而快速的研究磁约束等离子体动态分布规律。
搜索关键词: 等离子体 动态 分布 规律 研究 方法
【主权项】:
1.磁控等离子体动态分布规律研究方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:选择对等离子体的研究方法;S2:构建磁约束等离子体射流热磁耦合模型,包括以下步骤:A:建立物理模型;B:研究磁场对等离子体流动特性的影响,对流体力学方程进行相应地修正;C:设定边界条件;S3:模拟等离子体射流在圆筒结构中的流动控制数值;D:控制磁约束等离子体流动;E:观察同轴磁场对等离子体运动规律的影响;F:观察同轴磁场对等离子体射流速度分布的影响;G:观察同轴磁场对等离子体射流传热的影响;S4:对比上述步骤,验证了模型的有效性。
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