[发明专利]表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统有效

专利信息
申请号: 201910552955.0 申请日: 2019-06-25
公开(公告)号: CN110108697B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 刘勇江;张欣 申请(专利权)人: 北威(重庆)科技股份有限公司
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 肖丽
地址: 400800 重庆市万*** 国省代码: 重庆;50
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种表面增强拉曼散射微纳芯片及其制备方法、应用和拉曼光谱测试系统,涉及拉曼散射芯片技术领域,所述表面增强拉曼散射微纳芯片包括基底,所述基底上设置有纳米金属棒阵列,所述纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成,所述纳米金属棒的两端均具有尖端结构,所述纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上负载有二硫化钼量子点,该微纳芯片通过纳米金属棒阵列、纳米金属棒的尖端结构及负载的二氧化钼量子点相互协同,能够有效增强基底上的待测物分子信号,显著提高了拉曼光谱检测精度,为痕量检测提供了手段,可适用于活性生物大分子、毒品、爆炸物、食品卫生和环境检测等众多领域。
搜索关键词: 表面 增强 散射 芯片 及其 制备 方法 应用 光谱 测试 系统
【主权项】:
1.一种表面增强拉曼散射微纳芯片,其特征在于,包括基底,所述基底上设置有纳米金属棒阵列,所述纳米金属棒阵列由多个垂直分布于基底上的纳米金属棒组成,所述纳米金属棒的两端均具有尖端结构,所述纳米金属棒远离所述基底的一端的尖端结构上负载有二硫化钼量子点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北威(重庆)科技股份有限公司,未经北威(重庆)科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910552955.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top