[发明专利]一种三维钴钨酸基镍有机框架材料的制备及电容性能

摘要

本发明研究了一种三维钴钨酸基镍有机框架材料的制备及电容性能。发明的目的是设计合成一种由双核Ni2(C2N4H4)3金属有机结构单元和四连接的CoW12多酸阴离子构建而成的三维网状结构。提供了一种包含镍、钴、钨三金属的多酸基金属有机框架材料，为解决常规电极材料活性位点单一的问题做出贡献。本发明是利用一步水热合成法，设计了一种三维多酸基镍金属‑有机晶态储能材料，其分子式为H5[CoW12O40]3[Ni2(OH)3]4[C2N4H4]12·12H2O。晶系为立方晶系，晶胞参数为α=90，β=134.956，γ=90；a=35.770(5)Å，b=25.305(5)Å，c=25.293(5)Å，Z=1。制备方法为：将金属镍盐、K8Co2W11O40H2·15H2O、C4、偏钒酸铵和三乙胺溶解，然后调节PH；再将反应液在160℃下反应，降至室温。本发明可获得一种三维多酸基镍金属‑有机晶态储能材料。

主权项

1.一种三维钴钨酸基镍有机框架材料的制备及电容性能，本发明研究了一种三维多酸基镍金属‑有机晶态储能材料，本发明是利用一步水热合成法，设计制备了一种三维多酸基镍金属‑有机晶态储能材料，分子式为H₁₂₄Co₃W₃₆Ni₈O₁₅₆C₂₄N₄₈，其中C₂N₄H₄为4‑氨基‑4H‑1,2,4‑三氮唑，晶系为立方晶系，空间群为，晶胞参数为α=90，β=134.956，γ=90；a= 35.770 (5) Å，b= 25.305 (5) Å，c= 25.293 (5) Å，Z=1。