[发明专利]宽带低功耗的带隙基准电路有效
| 申请号： | 201910532933.8 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110347203B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 张克林;林亚立;范龙;杨宇啸;徐建恩;李大刚 | 申请（专利权）人： | 成都华微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 宽带低功耗的带隙基准电路,涉及集成电路技术，本发明包括带隙核心电路、反馈电路和启动电路；所述带隙核心电路包括一个电流镜；所述反馈电路包括第一MOS管(MN1)、第二MOS管(MN2)、第三MOS管(MN3)、第三三极管(Q3)和第一电容(C1)；所述启动电路包括第四MOS管(MP4)、第五MOS管(MP5)、第六MOS管(MN4)、第七MOS管(MN3)和第四三极管(Q4)；本发明采用无运放的带隙核心结构能有效的减小功耗和版图面积。 | ||
| 搜索关键词： | 宽带 功耗 基准 电路 | ||
【主权项】：
1.宽带低功耗的带隙基准电路,其特征在于，包括带隙核心电路、反馈电路和启动电路；所述带隙核心电路包括一个电流镜，电流镜的输入端接VDD端，电流镜的第一电流支路通过第一三极管(Q1)接第一电阻(R1)的第一端，第二电流支路通过第二三极管(Q2)接第二电阻(R2)的第一端，第一电阻(R1)的第二端和第二电阻(R2)的第二端的连接点通过第三电阻(R3)接地，第一电阻(R1)的电阻值大于第二电阻(R2)：所述反馈电路包括第一MOS管(MN1)、第二MOS管(MN2)、第三MOS管(MN3)、第三三极管(Q3)和第一电容(C1)；第一MOS管(MN1)的输入端接VDD端，输出端接第二MOS管(MN2)的栅极；第二MOS管(MN2)的输入端接VDD端，输出端接第一参考点；第三MOS管(MP3)的输入端接VDD端，输出端接第二MOS管(MN2)的栅极，还通过第三三极管(Q3)接第二参考点；第一参考点连接第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)和第三三极管(Q3)的基极；第二参考点接第二电阻(R2)的第一端，还通过第一电容(C1)接地；所述启动电路包括第四MOS管(MP4)、第五MOS管(MP5)、第六MOS管(MN4)、第七MOS管(MN3)和第四三极管(Q4)；第四MOS管(MP4)的栅极接地，输入端接VDD，输出端接第一MOS管(MN1)的栅极；第五MOS管输入端接VDD端，栅极和输出端接第四三极管(Q4)的输入端；第六MOS管(MN4)的输入端接第四三极管(Q4)的输入端,栅极接第四MOS管(MP4)的输出端，输出端接第二参考点；第七MOS管(MN3)的输入端接第四MOS管(MP4)的输出端，栅极接第一参考点，输出端接地；第四三极管的输出端接第二参考点,基极接第一参考点，第一参考点接带隙基准电路的输出端VREF。
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