[发明专利]双通道LTPS薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201910532402.9 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110429139A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 曹尚操;刘汉龙;李长晔 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种双通道LTPS薄膜晶体管，包括第一SD电极、第二SD电极、第一半导体通道层、第二半导体通道层；所述第一SD电极通过第一半导体通道层与第二SD电极导通，所述第一SD电极还通过第二半导体通道层与第二SD电极导通，第一SD电极与第二SD电极不接触，第一半导体通道层与第二半导体通道层不接触，在薄膜晶体管的至少一个截平面中，第一SD电极、第二SD电极、第一半导体通道层、第二半导体通道层将层间介质层包围在其中。上述技术方案通过设计双通路的半导体通道层，不仅保证了薄膜晶体管的使用安全性，更有效地提高了氧化物薄膜晶体管的电子迁移效率，提高了半导体薄膜晶体管的开态电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体通道层 电极 薄膜晶体管 不接触 双通道 导通 半导体薄膜晶体管 氧化物薄膜晶体管 层间介质层 使用安全性 电子迁移 开态电流 截平面 双通路 有效地 包围 保证 | ||
【主权项】：
1.一种双通道LTPS薄膜晶体管，其特征在于，包括第一SD电极、第二SD电极、第一半导体通道层、第二半导体通道层；所述第一SD电极通过第一半导体通道层与第二SD电极导通，所述第一SD电极还通过第二半导体通道层与第二SD电极导通，第一SD电极与第二SD电极不接触，第一半导体通道层与第二半导体通道层不接触，在薄膜晶体管的至少一个截平面中，第一SD电极、第二SD电极、第一半导体通道层、第二半导体通道层将层间介质层包围在其中。
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