[发明专利]提高多值NAND闪存存储器数据存储总量的数据擦写方法在审
| 申请号： | 201910513247.6 | 申请日： | 2019-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN110211622A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陈杰智;李元鹏;曹芮 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G11C16/14 | 分类号： | G11C16/14;G11C16/10 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种提高多值NAND闪存存储器数据存储总量的数据擦写方法，对于NAND闪存存储器空间的使用情况进行预判断，设定存储空间阈值，在可存储空间低于设定阈值时，按照标准擦写方式执行擦写操作，若可存储空间大于设定阈值时，对超多值NAND闪存存储器进行准单值擦写操作，在不擦除已有数据的情况下对同一存储区域多次连续写入单比特信息。本发明基于NAND闪存存储器，可以有效提高写入速度，提高存储单元利用效率，有效提高了数据存储总量和擦写寿命,理论上能够在相同磨损程度下，在TLC NAND闪存存储器中采用QSLC可提升数据存储总量75％，在QLC NAND闪存存储器中采用QSLC方式可提升数据存储总量87.5％。 | ||
| 搜索关键词： | 数据存储 擦写 可存储空间 写操作 阈值时 写入 同一存储区域 单比特信息 存储单元 存储空间 预判断 擦除 磨损 | ||
【主权项】：
1.一种用于提高多值NAND闪存存储器数据存储总量的数据擦写方法，其特征是：对于NAND闪存存储器空间的使用情况进行预判断，设定存储空间阈值，在可存储空间低于设定阈值时，按照标准擦写方式执行擦写操作，若可存储空间大于设定阈值时，对超多值NAND闪存存储器进行准单值擦写操作，在不擦除已有数据的情况下对同一存储区域多次连续写入单比特信息。
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