[发明专利]一种压阻式薄膜压力传感器及其制作方法在审
申请号: | 201910502343.0 | 申请日: | 2019-06-11 |
公开(公告)号: | CN110146202A | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 詹道桦;王晗;陈新;杨志军;蔡念;刘强;何潇;何超;徐文杰 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | G01L1/22 | 分类号: | G01L1/22 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 田媛媛 |
地址: | 510060 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种压阻式薄膜压力传感器,包括导电片、石墨烯导电片、位于所述导电片和所述石墨烯导电片之间的绝缘片,其中,所述石墨烯导电片包括相互断开的第一石墨烯导电单元和第二石墨烯导电单元。可见,本申请的压阻式薄膜压力传感器由导电片、石墨烯导电片和绝缘片组成,由于石墨烯的电阻率低于半导体硅,所以石墨烯导电片的导电性能更好,即使得压阻式薄膜压力传感器的导电性能提高,并且,石墨烯为单层碳原子结构,使得石墨烯导电片的厚度低于由硅材料制成的导电片,即降低压阻式薄膜压力传感器的整体厚度。此外,本申请还提供一种具有上述优点的压阻式薄膜压力传感器制作方法。 | ||
搜索关键词: | 导电片 石墨烯 薄膜压力传感器 压阻式 导电单元 导电性能 绝缘片 申请 碳原子结构 半导体硅 电阻率 硅材料 单层 断开 制作 | ||
【主权项】:
1.一种压阻式薄膜压力传感器,其特征在于,包括导电片、石墨烯导电片、位于所述导电片和所述石墨烯导电片之间的绝缘片,其中,所述石墨烯导电片包括相互断开的第一石墨烯导电单元和第二石墨烯导电单元。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东工业大学,未经广东工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910502343.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。