[发明专利]高传导处理配件

摘要

用于等离子体处理半导体基板的设备。该设备的情形包括上屏蔽件，上屏蔽件具有布置于上屏蔽件中心的气体扩散器。气体扩散器与上屏蔽件允许处理气体以层流的方式进入处理腔室。上屏蔽件剖面促进处理气体的径向扩散和自基板表面蚀刻来的材料的径向移动。上屏蔽件的曲率引导蚀刻的材料至下屏蔽件，减少蚀刻的材料沉积于上屏蔽件上。下屏蔽件亦包括将蚀刻的材料引导往狭槽的弯曲表面，而使蚀刻的材料能够自处理腔室离开，减少蚀刻的材料沉积于下屏蔽件上。

主权项

1.一种用于等离子体处理腔室的处理配件，所述处理配件包括：屏蔽件，所述屏蔽件包括：环状环；环状通道，所述环状通道在所述环状环的顶表面，其中径向面向外的衬垫与底部衬垫包括圆形弯曲的衬垫部分，所述圆形弯曲的衬垫部分在所述径向面向外的衬垫与所述底部衬垫之间，且其中所述环状通道包括径向向外突出的下切部分；第一多个狭槽，所述第一多个狭槽在所述下切部分与所述环状环的所述顶表面之间，所述第一多个狭槽绕所述环状环的周边排列，所述第一多个狭槽垂直于所述环状环的径向平面并由实质上平行于所述径向平面的第一表面和第二表面部分地界定；和第二多个狭槽，所述第二多个狭槽在所述下切部分与所述环状环的底表面之间，所述第二多个狭槽绕所述环状环的周边排列，所述第二多个狭槽垂直于所述径向平面并由相对于所述径向平面成一钝角而设置的第三表面和第四表面部分地界定。