[发明专利]引线框及层压衬底上的用于锯分割的预切割电镀线在审

申请号：	201910476911.4	申请日：	2019-06-03
公开（公告）号：	CN110581076A	公开（公告）日：	2019-12-17
发明（设计）人：	E·G·加尔多斯;L·F·阿奎诺	申请（专利权）人：	德州仪器公司
主分类号：	H01L21/48	分类号：	H01L21/48;H01L23/495
代理公司：	11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人：	林斯凯
地址：	美国德***	国省代码：	美国;US
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本申请案的实施例涉及引线框及层压衬底上的用于锯分割的预切割电镀线。本文描述一种技术或方法(700)，其用于使用预切割回蚀工艺(第0021段)在引线框(102)上预制造预切割电镀线(206)以最小化半导体封装切割工艺期间的毛刺(第0020段)。封装(100)包含：芯片(104)及装载所述芯片(104)的引线框(102)。所述引线框(102)进一步包含预制造的预切割电镀线(206)，其在所述引线框(102)上回蚀以在所述引线框(102)的外围上形成开口槽(第0026段)。所述开口槽允许锯片(第0029段)切割通过预浸材料(212)，而不触碰或切割所述引线框(102)的导电材料(第0018段)。
搜索关键词：	引线框预切割电镀线切割开口槽芯片毛刺半导体封装导电材料预浸材料申请案最小化层压衬底触碰回蚀锯片封装制造装载外围分割
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【主权项】：

1.一种方法，其包括：/n引线框上的回蚀工艺，其包括：/n形成预浸材料、导电层及焊接掩模的堆叠；/n在所述堆叠上图案化掩蔽层；/n在掩蔽层上形成掩模开口；/n在所述所形成掩模开口内回蚀所述焊接掩模及所述导电层，以暴露所述预浸材料的顶表面；以及/n溶解所述掩蔽层，借此创建预切割电镀线；/n将芯片安装在所述引线框上；/n进行从所述芯片到所述引线框上的引线的电连接；以及/n切割通过所述回蚀预制造的预切割电镀线。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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