[发明专利]一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管，包括N+衬底层；N‑外延层；若干P型离子注入区，每个P型离子注入区表面的中心位置均设置有一沟槽，且沟槽的深度从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大；两个二氧化硅隔离层；第一金属层，相邻两个P型离子注入区之间的N‑外延层与第一金属层形成第一肖特基接触区，且第一肖特基接触区的面积从结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大；第二金属层。本发明的结型势垒肖特基二极管能够保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，减小结型势垒肖特基二极管中心与边缘的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生，且减小了结型势垒肖特基二极管的反向漏电流。

主权项

1.一种能够减小反向漏电流的结型势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：N⁺衬底层(1)；N^‑外延层(2)，位于所述N⁺衬底层(1)上；若干P型离子注入区(3)，位于所述N^‑外延层(2)内表面，每个所述P型离子注入区(3)表面的中心位置均设置有一沟槽(4)，且所述沟槽(4)的深度从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大，所述P型离子注入区(3)的整体深度从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大，且每个所述沟槽(4)的底端至对应的所述P型离子注入区(3)的底端的距离均相等；两个二氧化硅隔离层(5)，分别位于所述N^‑外延层(2)两端的表面；第一金属层(6)，位于所述N^‑外延层(2)、所述P型离子注入区(3)和所述二氧化硅隔离层(5)上，相邻两个所述P型离子注入区(3)之间的N^‑外延层(2)与所述第一金属层(6)形成第一肖特基接触区(7)，且第一肖特基接触区(7)的面积从所述结型势垒肖特基二极管的中心至边缘逐渐增大；第二金属层(8)，位于所述第一金属层(6)上。