[发明专利]一种自滤光窄光谱响应有机光探测器有效
| 申请号： | 201910451408.3 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110534650B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄飞;解博名;张凯;胡志诚 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自滤光窄光谱响应有机光探测器。该有机光探测器依次包括基底、正电极、P型层、N型层和负电极，其中P型层可进一步分为单层P型层结构和多层P型层结构，在所述单层P型层结构中，P型层材料的带隙宽于N型层材料；在所述多层P型层结构中，不与N型层直接接触的P型层材料中至少有一种P型层材料的带隙宽于N型层材料和/或直接与N型层接触的P型层材料，正电极与P型层之间和/或N型层与负电极之间可增加缓冲层。本发明以一种新型的器件结构及简单的制备方法，在无需带通滤光片情况下实现探测光谱波段的自由选择和探测光谱半峰宽的自由调节。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 滤光 光谱 响应 有机 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种新型自滤光窄光谱响应有机光探测器，其特征在于，其器件结构依次包括基底(1)、正电极(2)、P型层(3)、N型层(4)和负电极(5)，所述P型层为单层P型层结构或多层P型层结构；当所述P型层为单层P型层结构时，P型层材料的带隙宽于N型层材料；当所述P型层为多层P型层结构时，在所述多层P型层结构中，不与N型层直接接触的P型层材料中至少有一种P型层材料的带隙宽于N型层材料、不与N型层直接接触的P型层材料中至少有一种P型层材料的带隙宽于直接与N型层接触的P型层材料、或不与N型层直接接触的P型层材料中至少有一种P型层材料的带隙宽于直接与N型层接触的P型层材料且宽于N型层材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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