[发明专利]高温高压下用叠氮化钡作原材料合成I-型硅基笼合物的方法在审
| 申请号： | 201910446144.2 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110204340A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 吴超;孙兵;王峥;庞振江;郭彦;王蒙;刘建军 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/638;C04B35/645 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 吕翠莲 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供高温高压下用叠氮化钡作原材料合成I‑型硅基笼合物的方法，其特征在于：包括原料混合、压块合成、酸洗及烘干步骤；所述的压块合成：反应压力为1GPa‑3GPa，反应温度为700°C‑825°C。本发明不需要惰性气体保护，不需要要采用纯元素合成，反应条件易于达到，大大降低了反应难度，缩短反应时间。 | ||
| 搜索关键词： | 原材料合成 高温高压 合成 叠氮化 硅基 合物 压块 惰性气体保护 反应条件 反应压力 原料混合 烘干 酸洗 | ||
【主权项】：
1.高温高压下用叠氮化钡作原材料合成I‑型硅基笼合物的方法，其特征在于：包括原料混合、压块合成、酸洗及烘干步骤；所述的压块合成：反应压力为1GPa‑3GPa，反应温度为700°C‑825°C。
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