[发明专利]一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法在审
| 申请号： | 201910422599.0 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110109627A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 倪黄忠 | 申请（专利权）人： | 深圳市时创意电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，包含以下步骤，S1：扫描Nand Flash，获取闪存芯片的BBT(bad block table)信息；S2：下载FTL（Flash Translation Layer，闪存转换层）到主控，同时写入Nand Flash；S3：FTL根据BBT信息进行系统初始化，将plane之间或者CE之间同位置的block捆绑组成super block；S4：进行逻辑空间分配，优先选择bad super block中掉单的block来当系统块来使用，其他good super block来当数据块使用；S5：保存系统信息到闪存芯片。本发明利用bad super block中掉单的good block来当系统块使用,充分利用了block资源，提升了利用率，同时减少了系统对good super block的损耗，从而有效提升了用户数据存储的可用容量，有效提升了闪存设备的生产足容率。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存芯片 设备生产 用户数据存储 闪存转换层 系统初始化 保存系统 可用容量 逻辑空间 闪存设备 数据块 同位置 下载 主控 写入 捆绑 扫描 分配 生产 | ||
【主权项】：
1.一种有效提升Nand闪存设备生产足容率的方法，其特征在于，包含以下步骤：S1：扫描Nand Flash，获取闪存芯片的BBT (bad block table)信息；S2：下载FTL（Flash Translation Layer，闪存转换层）到主控，同时写入Nand Flash；S3：FTL根据BBT信息进行系统初始化，将 plane之间或者CE之间同位置的block捆绑组成super block；S4：进行逻辑空间分配，优先选择bad super block 中掉单的block来当系统块来使用，其他good super block来当数据块使用；S5：保存系统信息到闪存芯片。
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