[发明专利]一种低压差大功率复合PMOS管等效电路

摘要

本发明提供一种低压差大功率复合PMOS管等效电路，利用PNP型三极管、光电耦合器与NMOS管构成复合管，从而等效为大功率型PMOS管；使用了可控制的光电耦合器件，使NMOS管与三极管之间的信号传输完全隔离，减少了二者之间的干扰；采用独立电源分别对三极管的输入、输出回路、NMOS管的输入回路供电，可改变并稳定二者的工作状态。该PMOS管等效电路具有可控性高、较大动态范围的电压输出、输出功率大的特性。

主权项

1.一种高性能低压差大功率复合PMOS管等效电路，其特征在于：包括独立电压源E₁和独立电压源E₂以及大功率型PMOS管，所述大功率型PMOS管包括PNP型三极管、光电耦合器与NMOS管，PNP型三极管的集电极与光电耦合器的阳极通过二极管D₅与R₄连接，其中D₅的阳极与三极管的集电极连接，三极管的发射极与NMOS管的漏极相连接，NMOS管的栅极与光电耦合器的发射极通过电阻R₅相连，电阻器R₆与C₁并联接于NMOS管的栅源极之间；独立电压源E₁的负极与光电耦合器的阴极相连，正极与PNP型三极管的发射极连接：独立电压源E₂的正极与光电耦合器集电极相连，负极与NMOS管的源极连接；二极管D₃与光电耦合器的发光二极管反并联，二极管D₄并联接在PNP型三极管基射极之间，二极管D₄的阳极与三极管的基极相连；电阻器R₂与二极管D₂串联接在光电耦合器的阴极与三极管的基极之间，其中二极管D₂的阳极与三极管的基极相连，电阻R₃并接在三极管的基射极之间；二极管D₁与电阻R₁串联与三极管的基极相连，二极管D₁的阴极为等效PMOS管的栅极，NMOS管的源极为等效PMOS管的漏极，NMOS管的漏极为等效PMOS管的源极。