[发明专利]一种低压差大功率复合PMOS管等效电路

权利要求书

1.一种低压差大功率复合PMOS管等效电路，其特征在于：包括独立电压源E₁和独立电压源E₂以及大功率型PMOS管，所述大功率型PMOS管包括PNP型三极管、光电耦合器与NMOS管，PNP型三极管的集电极与光电耦合器的阳极通过二极管D₅与R₄连接，其中D₅的阳极与三极管的集电极连接，三极管的发射极与NMOS管的漏极相连接，NMOS管的栅极与光电耦合器的发射极通过电阻R₅相连，电阻器R₆与C₁并联接于NMOS管的栅源极之间；独立电压源E₁的负极与光电耦合器的阴极相连，正极与PNP型三极管的发射极连接：独立电压源E₂的正极与光电耦合器集电极相连，负极与NMOS管的源极连接；二极管D₃与光电耦合器的发光二极管反并联，二极管D₄并联接在PNP型三极管基射极之间，二极管D₄的阳极与三极管的基极相连；电阻器R₂与二极管D₂串联接在光电耦合器的阴极与三极管的基极之间，其中二极管D₂的阳极与三极管的基极相连，电阻R₃并接在三极管的基射极之间；二极管D₁与电阻R₁串联与三极管的基极相连，二极管D₁的阴极为等效PMOS管的栅极，NMOS管的源极为等效PMOS管的漏极，NMOS管的漏极为等效PMOS管的源极。

2.根据权利要求1所述的一种低压差大功率复合PMOS管等效电路，其特征在于：两个独立电压源皆采用15V的直流电压源，独立电压源E₁、电阻R₂、R₃与二极管D₂构成PNP基极分压式射极偏置电路，此外直流源E₁还与发光二极管、PNP三极管的集电极、发射极构成回路，提供发光二极管正常开通与PNP三极管集电结反偏的必要条件；独立电压源E₂用于提供NMOS开启时所需要的栅源电压。