[发明专利]一种正硅酸盐基深紫外长余辉发光材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910403086.5 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110028966A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 梁延杰;毕见强;孙康宁;王伟礼 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C09K11/79 | 分类号： | C09K11/79 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王磊 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种正硅酸盐基深紫外长余辉发光材料及其制备方法，包括基质、激活离子和共掺杂离子，所述基质为Ln2SiO5，Ln为Lu、Y、Gd中的一种或者两种，激活离子为Pr3+，共掺杂离子为Li+、Na+或K+中的一种。本公开的材料在高能光激发时可以产生深紫外光发射。当光源移走后，该材料仍能够产生持续的深紫外发光，深紫外长余辉发光的峰值位于280nm和320nm两处，余辉时间大于1h。该深紫外长余辉发光材料在日盲紫外成像、消毒杀菌、光催化、防伪以及医用光动力治疗等领域有着潜在的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 长余辉发光材料 激活离子 正硅酸盐 共掺杂 基质 制备 离子 长余辉发光 光动力治疗 深紫外光 消毒杀菌 紫外成像 紫外发光 高能光 光催化 潜在的 防伪 移走 光源 余辉 发射 激发 应用 | ||
【主权项】：
1.一种正硅酸盐基深紫外长余辉发光材料，其特征是，包括基质、激活离子和共掺杂离子，所述基质为Ln2SiO5，Ln为Lu、Y、Gd中的一种或者两种，激活离子为Pr3+，共掺杂离子为Li+、Na+或K+中的一种。
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