[发明专利]一种高阈值电压常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910361958.6 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110190116B | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 黄火林;孙仲豪 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/41;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) 21235 | 代理人： | 马庆朝 |
| 地址： | 116023 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种高阈值电压常关型高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体器件技术领域。技术方案：在衬底上依次生长成核层和外延层，外延层上方为势垒层、源极和漏极，势垒层和外延层形成异质结结构，二者接触界面由极化电荷诱导产生二维电子气，势垒层上方为钝化层，栅区势垒层上方为栅极盖帽层，栅极盖帽层上方为经表面等离子体氧化技术处理形成氧化物介质层或者直接沉积单层或者多重栅介质插入层，栅介质插入层上方为栅极，栅极与钝化层接触，在钝化层上、栅极向漏极方向延伸有场板。有益效果:本发明实现常关型器件类型的同时能保持大的导通电流密度；通过提高势垒层导带位置从而提高该常关型器件的栅极耐压和阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 常关型高 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高阈值电压常关型高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：衬底、成核层、外延层、势垒层、钝化层、栅极盖帽层、复合栅介质插入层、栅极、源极和漏极，在所述衬底上依次生长成核层和外延层，所述外延层上方为势垒层、源极和漏极，所述势垒层和外延层形成异质结结构，二者接触界面由极化电荷诱导产生二维电子气，所述势垒层上方为钝化层，栅区势垒层上方为栅极盖帽层，所述栅极盖帽层上方为复合栅介质插入层，所述复合栅介质插入层上方为栅极，所述栅极与所述钝化层接触，在所述钝化层上、所述栅极向所述漏极方向延伸有场板。
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