[发明专利]基于模式滤波器的硅基磁光隔离器及制备方法有效
| 申请号： | 201910360248.1 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111856791B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李明轩;李金野;于海洋;戴双兴;刘建国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | G02F1/095 | 分类号： | G02F1/095;G02B6/122;G02B6/126;G02B6/132;G02B6/13 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于模式滤波器的硅基磁光隔离器，包括模式滤波器以及法拉第旋光器，模式滤波器采用嵌入透明导电氧化物层的条形硅波导结构，法拉第旋光器采用条形磁光材料结构；正向传输的横电场模的输入信号从模式滤波器输入，在通过模式滤波区之后，进入法拉第旋光器并实现45°的偏振旋转后输出；被反射的反向传输光从法拉第旋光器输入，进入法拉第旋光器沿原方向继续旋转45°，共旋转90°后反向传输光由横电场模变为了横磁场模，进入模式滤波器的滤波区时，被透明导电氧化物层损耗，从而实现了反向传输光的隔离。本发明具有隔离度高，插入损耗低，器件尺寸小，易于CMOS集成等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 模式 滤波器 硅基磁光 隔离器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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