[发明专利]具有动态冗余功能的MRAM芯片在审
| 申请号： | 201910356086.4 | 申请日： | 2019-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN111863059A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;王春林;叶力;夏文斌 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C29/42;G11C29/18 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201815 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 具有动态冗余功能的MRAM芯片，ECC纠错单元在正常读操作时接收主存储区中被读取数据，将查到的出错信息上报；当该正常读操作完成时，纠错控制器判断收到的错误数量是否超过设定值，为是时判断被读取数据地址是否在寄存器的出错地址中，为是时则将该出错地址对应的计数器加一，判断该计数器的计数值是否达到设定值，为是时则标明该出错地址对应的替换标识为永久替换标识，并在冗余存储区中寻找空闲地址作为替换地址，将经过ECC纠错的数据写入替换地址中；在被读取数据地址不在寄存器的出错地址中时，查找到一组空闲的寄存器，将被读取数据地址写入查到的寄存器中，并将该出错地址对应计数器的计数设为1、对应的替换标识标记为非替换。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 动态 冗余 功能 mram 芯片 | ||
【主权项】：
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