[发明专利]P型全背接触晶硅电池的制作系统及方法

摘要

本发明公开了一种P型全背接触晶硅电池的制作系统，利用激光掺杂和烧结过程中第二电极的金属原子的扩散在所述p型晶硅衬底的背面形成多个交替排布的n+掺杂区和p+掺杂区，无需多次掩膜开槽工艺，简化了P型全背接触晶硅电池的制作工艺流程，降低了制作难度系数和制作成本，是一种高效低成本的太阳能电池，便于工业化大规模应用。

主权项

1.一种P型全背接触晶硅电池的制作系统，其特征在于，所述制作系统包括：第一沉积设备，所述第一沉积设备用于在p型晶硅衬底的背面形成n型掺杂膜层；所述p型晶硅衬底的正面为绒面；激光掺杂设备，所述激光掺杂设备用于照射所述n型掺杂膜层的设定区域，对所述p型晶硅衬底的设定区域进行n+掺杂，以在所述p型晶硅衬底的背面内形成多个间隔排布n+掺杂区；刻蚀设备，所述刻蚀设备用于去除经过激光照射后的所述n型掺杂膜层；第二沉积设备，所述第二沉积设备用于在去除所述n型掺杂膜层的所述p型晶硅衬底的背面和正面分别沉积钝化减反膜；金属化设备，所述金属化设备用于在所述p型晶硅衬底背面的钝化减反膜上形成第一电极和第二电极，并通过烧结处理使得所述第一电极与所述n+掺杂区欧姆接触，通过所述第二电极对所述n+掺杂区的间隙位置进行p+掺杂，以在形成p型晶硅衬底背面内形成p+掺杂区。