[发明专利]制造半导体器件的互连线的方法在审
| 申请号： | 201910342775.X | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110890319A | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 丁少锋;朴英锡;李敬雨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的互连线的方法包括：在衬底上的第一层间绝缘层、蚀刻停止层和第二层间绝缘层中形成通路和下互连沟槽；在通路和下互连沟槽内部形成下扩散阻挡层、下籽晶层和下互连层；使用化学机械抛光(CMP)工艺平坦化下互连层，以形成接触插塞和下互连线；在第二层间绝缘图案和下互连线的顶部上沉积第三层间绝缘层；在第三层间绝缘层中形成上互连沟槽；在上互连沟槽内部形成上扩散阻挡层、上籽晶层和上互连层；以及使用CMP工艺平坦化上互连层，以形成上互连线。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 互连 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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